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GTR-KTP 晶体 - 抗灰迹磷酸钛氧钾
- KTP是一款优良的非线性晶体，但灰迹现象限制了其在高重复频率和高功率激光系统中的使用。pp电子科技的抗灰迹磷酸钛氧钾（GTR-KTP）晶体比普通熔融生长的KTP晶体具有更高的抗灰迹能力。通过光热共光路干涉法，用强连续532nm绿光激光器照射晶体几分钟后其体吸收增加则可测试到灰迹现象的发生。
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产品介绍：
磷酸钛氧钾（KTiOPO4，KTP）是一款优良的非线性晶体， 但是灰迹现象限制了传统KTP晶体在高重复频率和高功率激光系统中的应用。pp电子科技提供的抗灰迹KTP晶体（GTR-KTP）与传统KTP相比，具有更高抗灰迹性能。使用光热共光路干涉仪，用强连续532 nm绿光激光器照射晶体几分钟后，其体吸收增加则可测得灰迹现象的发生。
纵向测试 (灰迹测试之前)：
上图显示，在晶体器件相同通光长度时，GTR-KTP（pp电子科技提供）晶体在1064 nm处的吸收值仅为传统的KTP晶体的1/10。
灰迹跟踪测试：
当一束绿光（400 mW，光束直径0.07 mm，功率密度10 KW/cm2）通过晶体时，由于灰迹现象，晶体红外吸收增加。
下图分别显示pp电子科技的GTR-KTP晶体与传统的KTP晶体在1064 nm 处吸收值随时间的变化情况。
横向扫描 @ 1064 nm（灰迹测试后）：
横向扫描 @ 532 nm（灰迹测试后）：
损伤阈值测试：
通过测试 GTR-KTP晶体和传统KTP晶体（抛光片，激光条件：10 ns，1 Hz），pp电子科技提供的GTR-KTP晶体的损伤阈值为1.8 GW/cm2 @ 1064nm，远高于传统KTP晶体（相同条件下为450 MW/cm2）。
透射曲线（可见光和紫外光区域）：
由上图可见，pp电子科技的GTR-KTP晶体在350-550 nm波段吸收率比传统的KTP晶体低。
从以上数据我们得出结论，pp电子科技的GTR-KTP晶体比普通熔融生长的KTP晶体具有更高的抗灰迹能力。
pp电子科技可提供：
严格的质量控制 晶体尺寸可达到 7×7×20 mm3 快速交付（抛光片交期3周， 镀膜片交期4周） 优越的价格，大批量订购可享受折扣 技术支持 AR，HR-镀膜，支架装配及返修抛光服务
pp电子公司可提供以下服务：
• 严格的质量控制；
• 晶体尺寸可达到 7x7x20mm3 ；
• 快速发货时间(抛光片2 周, 镀膜片3周)；
• 优越的价格，大批量订购可享受折扣；
• 技术支持；
• AR, HR-镀膜，支架装配及返修抛光的服务。
GTR-KTP规格指标：
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产品指标 |
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尺寸公差 |
（W±0.1 mm）×（H±0.1 mm）×（L+0.5/-0.1 mm） （L≥2.5 mm） （W±0.1 mm）×（H±0.1 mm）×（L+0.1/-0.1 mm） （L＜2.5 mm） |
|
有效通光孔径 |
中心90%区域 |
|
内部质量 |
50 mW绿光无可见散射路径或中心 |
|
平面度 |
≦λ/8 @ 633 nm |
|
透射波前畸变 |
≦λ/8 @ 633 nm |
|
光洁度（点/划） |
10/5 （抛光片，参考MIL-PRF-13830B标准） 20/10（增透膜，参考MIL-PRF-13830B标准） 40/20（高反膜，参考MIL-PRF-13830B标准） |
|
平行度 |
20″ |
|
垂直度 |
≦15′ |
|
角度公差 |
≦0.25° |
|
倒角 |
≦0.2 mm×45° |
|
崩边 |
≦0.1 mm |
pp电子科技可提供镀制如下膜系
- 双波长增透膜 (DBAR)，应用于GTR-KTP晶体的1064nm倍频，低反射率 (R＜0.2% @ 1064 nm和R＜0.2% @ 532 nm)，高损伤阈值 (＞1 GW/cm2 @ 1064 nm，＞300 MW/cm2 @ 532 nm，10 ns，10 Hz)，高稳定性
- 高反膜: HR-1064 nm & HT-532 nm，R＞99.8% @ 1064 nm，T＞95% @ 532 nm
- 宽带增透膜（BBAR），应用于GTR-KTP的OPO
- 可提供膜系定制服务
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产品介绍：
磷酸钛氧钾（KTiOPO4，KTP）是一款优良的非线性晶体， 但是灰迹现象限制了传统KTP晶体在高重复频率和高功率激光系统中的应用。pp电子科技提供的抗灰迹KTP晶体（GTR-KTP）与传统KTP相比，具有更高抗灰迹性能。使用光热共光路干涉仪，用强连续532 nm绿光激光器照射晶体几分钟后，其体吸收增加则可测得灰迹现象的发生。
纵向测试 (灰迹测试之前)：
上图显示，在晶体器件相同通光长度时，GTR-KTP（pp电子科技提供）晶体在1064 nm处的吸收值仅为传统的KTP晶体的1/10。
灰迹跟踪测试：
当一束绿光（400 mW，光束直径0.07 mm，功率密度10 KW/cm2）通过晶体时，由于灰迹现象，晶体红外吸收增加。
下图分别显示pp电子科技的GTR-KTP晶体与传统的KTP晶体在1064 nm 处吸收值随时间的变化情况。
横向扫描 @ 1064 nm（灰迹测试后）：
横向扫描 @ 532 nm（灰迹测试后）：
损伤阈值测试：
通过测试 GTR-KTP晶体和传统KTP晶体（抛光片，激光条件：10 ns，1 Hz），pp电子科技提供的GTR-KTP晶体的损伤阈值为1.8 GW/cm2 @ 1064nm，远高于传统KTP晶体（相同条件下为450 MW/cm2）。
透射曲线（可见光和紫外光区域）：
由上图可见，pp电子科技的GTR-KTP晶体在350-550 nm波段吸收率比传统的KTP晶体低。
从以上数据我们得出结论，pp电子科技的GTR-KTP晶体比普通熔融生长的KTP晶体具有更高的抗灰迹能力。
pp电子科技可提供：
严格的质量控制 晶体尺寸可达到 7×7×20 mm3 快速交付（抛光片交期3周， 镀膜片交期4周） 优越的价格，大批量订购可享受折扣 技术支持 AR，HR-镀膜，支架装配及返修抛光服务
pp电子公司可提供以下服务：
• 严格的质量控制；
• 晶体尺寸可达到 7x7x20mm3 ；
• 快速发货时间(抛光片2 周, 镀膜片3周)；
• 优越的价格，大批量订购可享受折扣；
• 技术支持；
• AR, HR-镀膜，支架装配及返修抛光的服务。
GTR-KTP规格指标：
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产品指标 |
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尺寸公差 |
（W±0.1 mm）×（H±0.1 mm）×（L+0.5/-0.1 mm） （L≥2.5 mm） （W±0.1 mm）×（H±0.1 mm）×（L+0.1/-0.1 mm） （L＜2.5 mm） |
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有效通光孔径 |
中心90%区域 |
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内部质量 |
50 mW绿光无可见散射路径或中心 |
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平面度 |
≦λ/8 @ 633 nm |
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透射波前畸变 |
≦λ/8 @ 633 nm |
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光洁度（点/划） |
10/5 （抛光片，参考MIL-PRF-13830B标准） 20/10（增透膜，参考MIL-PRF-13830B标准） 40/20（高反膜，参考MIL-PRF-13830B标准） |
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平行度 |
20″ |
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垂直度 |
≦15′ |
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角度公差 |
≦0.25° |
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倒角 |
≦0.2 mm×45° |
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崩边 |
≦0.1 mm |
pp电子科技可提供镀制如下膜系
- 双波长增透膜 (DBAR)，应用于GTR-KTP晶体的1064nm倍频，低反射率 (R＜0.2% @ 1064 nm和R＜0.2% @ 532 nm)，高损伤阈值 (＞1 GW/cm2 @ 1064 nm，＞300 MW/cm2 @ 532 nm，10 ns，10 Hz)，高稳定性
- 高反膜: HR-1064 nm & HT-532 nm，R＞99.8% @ 1064 nm，T＞95% @ 532 nm
- 宽带增透膜（BBAR），应用于GTR-KTP的OPO
- 可提供膜系定制服务
QQ:2763909188
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